Fonte: Resumo. Nome do evento: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
ABNT
CAVALCANTE, J S et al. Growth temperature dependent on the optical properties of 'GA''IN''AS'N/'GA''AS' single quantum well. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1381-1.pdf. Acesso em: 16 maio 2024.APA
Cavalcante, J. S., Silva, E. C. F. da, Bassetto Jr, C. A. Z., Oliveira, J. B. B. de, & Tabata, A. (2011). Growth temperature dependent on the optical properties of 'GA''IN''AS'N/'GA''AS' single quantum well. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1381-1.pdfNLM
Cavalcante JS, Silva ECF da, Bassetto Jr CAZ, Oliveira JBB de, Tabata A. Growth temperature dependent on the optical properties of 'GA''IN''AS'N/'GA''AS' single quantum well [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 maio 16 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1381-1.pdfVancouver
Cavalcante JS, Silva ECF da, Bassetto Jr CAZ, Oliveira JBB de, Tabata A. Growth temperature dependent on the optical properties of 'GA''IN''AS'N/'GA''AS' single quantum well [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 maio 16 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1381-1.pdf